第1種情報処理技術者試験 |
1995年度 = 平成7年度 |
午前 |
問12 |
半導体記憶素子に関する記述のうち、正しいものはどれか。
ア DRAMは、フリップフロップで構成されており、一度書き込んだデータは電源を切るまで保持される。
イ PROMは、不揮発性で読取り専用のメモリである。IPLなどの変更する必要のないプログラムを格納するために用いられる。工場出荷時にメモリの内容は書き込まれており、ユーザは内容を変更できない。
ウ SRAMは、トランジスタとそれに付随するキャパシタからなる。データはこのキャパシタに電荷として蓄えられる。電荷は時間の経過とともに放電され消失するので、定期的に再書込み(リフレッシュ)を行いデータを保持する必要がある。
エ バイポーラ形RAMは、記憶素子としては比較的集積度が低く消費電力が大きいが、高速性を生かしてレジスタやキャッシュメモリに利用される。
オ マスクROMは、工場出荷時にはメモリの内容は書き込まれておらず、ユーザがその内容を書き込むことができる。一度だけ書込みができるものと、データを消して再書込みできるものとがある。
エ
ア SRAMは、フリップフロップで構成されており、一度書き込んだデータは電源を切るまで保持されます。
イ マスクROMは、不揮発性で読取り専用のメモリである。IPLなどの変更する必要のないプログラムを格納するために用いられる。工場出荷時にメモリの内容は書き込まれており、ユーザは内容を変更できません。
ウ DRAMは、トランジスタとそれに付随するキャパシタからなる。データはこのキャパシタに電荷として蓄えられる。電荷は時間の経過とともに放電され消失するので、定期的に再書込み(リフレッシュ)を行いデータを保持する必要があります。
エ バイポーラ形RAMは、記憶素子としては比較的集積度が低く消費電力が大きいが、高速性を生かしてレジスタやキャッシュメモリに利用されます。
オ |
PROMは、工場出荷時にはメモリの内容は書き込まれておらず、ユーザがその内容を書き込むことができる。一度だけ書込みができるものと、データを消して再書込みできるものとがあります。
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