第1種情報処理技術者試験 |
1996年度 = 平成8年度 |
午前 |
問12 |
記憶保持のために定期的なリフレッシュ動作を要する記憶素子はどれか。
ア CCD
| イ DRAM
| ウ EEPROM
| エ SRAM
| オ TTL
|
イ
ア CCD(charge coupled device)
光信号をで電気信号に変換する働きをもち、ディジタルカメラなどで用いられています。
イ DRAM(dynamic RAM)
1ビットを、コンデンサに電荷を蓄えた状態かどうかで表現します。時間の経過とともに放電するので定期的な書き込み=リフレッシュが必要です。SRAMと比較すると高集積、低速、小消費電力です。
ウ EEPROM(electronic erasable programmable ROM)
電気的に内容の消去や書き換えが可能なROMであり、フラッシュメモリです。
エ SRAM
フリップフロップ(双安定回路)で作られており、集積度が低く製造コストが高くなります。そのため、比較的小容量であるキャッシュメモリなどに使われます。DRAMと比較すると低集積、高速、大消費電力です。
オ TTL
接合型トランジスタを使った論理回路です。雑音に弱いため、あまり使われません。