BohYoh.com《基本情報技術者試験》2003年度＝平成15年度・秋期午前問16

基本情報技術者試験

2003年度＝平成15年度・秋期

午前

問16

　フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

ア	記憶内容を保つための再書込みが不要で、電気的に全部又は一部分を消して内容を書き直せるメモリである。
イ	紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
ウ	データを速く読み出せるので、キャッシュメモリとしてよく用いられる。
エ	リフレッシュ動作が必要なメモリで、主記憶に広く使われる。

解答

　ア

解説

　フラッシュメモリ（flash memory）は、電気信号によってデータの書換え、消去が可能であり、電源を切っても内容を保持できるメモリです。

ア	記憶内容を保つための再書込みが不要で、電気的に全部又は一部分を消して内容を書き直せるメモリです。
イ	紫外線で全内容を消せるのは、EPROM（erasable programmable read only memory）です。
ウ	データを速く読み出せるのでキャッシュメモリとしてよく用いられるのは、SRAM（static RAM）です。
エ	リフレッシュ動作が必要なメモリで主記憶に広く使われるのは、DRAM（dynamic RAM）です。